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美光

一方面,美光在DRAM和NAND产品技术上的更新也将进一步降低成本。DRAM方面,已经开始了1x nm的研制,预计将在2017年中期将实现输出;预计在2017年将实现每bit成本下降20~25%。NAND产品方面,目前美光在致力于64层3D NAND的研发,预计将在2017财年第一季度初见成效,并实现每bit成本下降20~25%,这将惠及其

10日更新
标签:美光 存储

提到美光,你肯定不会陌生,作为半导体行业的全球领导者,美光科技在推动科技进步,加速行业创新发展方面做着突出贡献,尤其集中在半导体和存储领域。“放眼全球,美光是世界上唯一一家能够同时生产NAND Flash、DRAM,以及3D XPoint的厂商”。美光科技存储业务企业销售副总裁Mark Glasgow如是表示。

28日更新
华丽转型,美光加速解决方案重装亮相

美国德克萨斯州奥斯汀,2016 年 4 月 13日——美光科技有限公司(纳斯达克代码:MU)今天宣布推出利用高性能 NVMe 协议的全新 PCIe 固态硬盘 (SSD) 产品组合。新的美光 9100 和 7100 PCIe SSD 可为数据中心客户提供量身定制的存储产品,帮助他们实施灵活且可横向扩展的 IT 基础设施。这些新硬盘的推出扩展

13日更新
标签:美光

如今,平面结构的NAND闪存已接近扩展极限,为保持摩尔定律与闪存存储解决方案的一致性,3D NAND技术横空出世。作为被视为闪存产业柳暗花明的关键技术,3D NAND续写了摩尔定律,从2D到3D存储容量得到惊人的提升,从而能够令闪存存储得到更广泛的应用。尽管3D NAND尚有诸多的挑战,但经过几年的延迟及不确定

29日更新
这容量是要上天?美光3D NAND正式起飞

在近日的华为云计算大会(HCC)上,华为与美光科技(Micron Technology)共同宣布签署闪存战略合作备忘录,旨在利用双方技术优势联合创新,加速闪存技术在数据中心的布局,创新引领全闪存时代。华为IT产品线副总裁黄瑾、美光科技存储业务副总裁Darren Thomas等出席了此次合作签约仪式。

23日更新
标签:华为 美光 闪存
华为美光签署闪存战略 引领全闪存时代

在很多用户看来,TLC闪存颗粒虽然相对于MLC、SLC价格低许多,性能也能满足日常需求,但较短的寿命是其最大的硬伤。近日,Silicon Motion公司全新发布的TLC专用主控器“SM2256”却又为TLC打了一剂强心针。

08日更新
标签:东芝 美光 闪存
TLC闪存春天来临?专用主控寿命增长三倍

据国外媒体报道,英特尔公司已经完成了三款采用NVMe标准的高速PCIe闪存卡的生产,此举恐将掀起PCIe闪存产品的又一轮高潮。目前英特尔已发布了三款NVMe产品:DC P3700、P3600以及P3500。关于英特尔2014年SSD方面的线路图,可参考笔者之前的报道:2TB+2.8GB/s 英特尔14年SSD线路图曝光

再掀闪存热 英特尔发布三款PCIe闪存卡

2013年着实是闪存存储的梦幻之年,闪存良好的发展态势使其成为不容忽视的又一波技术浪潮。   在刚刚过去的这一年里,全闪存阵列产品如雨后春笋般纷纷问世,闪存企业相继被传统存储巨头收购、同时也有不少闪存从业公司在首次公开募股后就一蹶不振。而三家混合型闪存/磁盘阵列供应商则沐浴在市场向技术

展望2014:闪存存储上演“速度与激情”

美光公司正在研发一款与DDR4相兼容的混合型DRAM-NAND存储条,欲以此为契机冲击数据处理领域一直以来由竞争对手的闪存缓存产品支撑的PCIe总线方案。

17日更新
标签:DRAM 美光
美光研发DRAM-NAND HDIMM有望突破256GB

今年4月份,Intel与美光(Micron)的闪存技术合作机构IMFT曾经发布了世界首个基于20nm制程工艺制造的64Gb(8GB)MLC NAND闪存。而两家目前生产的SSD如Intel的中高端510系列,或目前市场上最火爆的Micron C400/Crucial M4等采用的均为25nm工艺闪存芯片。

07日更新
Intel美光发128Gb 20nm NAND闪存

2011年12月6日,加利福尼亚州圣克拉拉市和爱达荷州博伊西市——英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出全球首款20纳米制程128 Gb多层单元(MLC)NAND设备,在NAND闪存技术领域树立了新的标杆。两家公司还宣布开始量产其20纳米制程64Gb NAND闪存,进一步扩展了双方在NAND制程工艺技术领域的领导地位。

07日更新

2月1日,英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首个25纳米NAND技术

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