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美光

美光公司正在研发一款与DDR4相兼容的混合型DRAM-NAND存储条,欲以此为契机冲击数据处理领域一直以来由竞争对手的闪存缓存产品支撑的PCIe总线方案。

17日更新
标签: DRAM 美光
美光研发DRAM-NAND HDIMM有望突破256GB

 今年4月份,Intel与美光(Micron)的闪存技术合作机构IMFT曾经发布了世界首个基于20nm制程工艺制造的64Gb(8GB)MLC NAND闪存。而两家目前生产的SSD如Intel的中高端510系列,或目前市场上最火爆的Micron C400/Crucial M4等采用的均为25nm工艺闪存芯片。

07日更新
Intel美光发128Gb 20nm NAND闪存

 2011年12月6日,加利福尼亚州圣克拉拉市和爱达荷州博伊西市——英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出全球首款20纳米制程128 Gb多层单元(MLC)NAND设备,在NAND闪存技术领域树立了新的标杆。两家公司还宣布开始量产其20纳米制程64Gb NAND闪存,进一步扩展了双方在NAND制程工艺技术领域的领导地位。

07日更新
英特尔与美光以创新巩固NAND闪存地位

2月1日,英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首个25纳米NAND技术

25纳米!英特尔推全球最精密半导体技术
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