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NAND

DRAMeXchange的一份新的报告显示,NAND闪存(驱动存储设备)供给的短缺,预计在2017年整个上半年将导致SSD变得更贵。这种短缺建立在从2D NAND向3D NAND转变的部分,而结果就是,本季度多层单元(multi-level cell,MLC)SSD的价格上涨了12%-16%,三层单元(triple-level cell,TLC)SSD的价格上涨了10%-16%。

16日更新
NAND闪存短缺 导致固态硬盘价格升高

随着存储技术的飞速发展,闪存正从U盘、iPhone走向平板电脑、存储阵列等更广泛的领域。虽然其速度较以往的机械硬盘有了较大幅度的提升,但纵观整个计算架构,闪存仍旧是计算系统中比较慢的部分。况且目前主流的MLC和TLC在写入寿命上都还不尽如人意,并且随着工艺的先进化,其

23日更新
标签:闪存 NAND
RRAM vs. NAND!小芯片也能玩转TB级存储

全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司今日面向中国及其他高速增长市场的入门级平板电脑和智能手机发布一款理想的存储解决方案——iNAND Standard 嵌入式闪存驱动器(EFD)。利用最新1Y纳米X3 NAND闪存解决方案,原始设备制造商(OEM)可快速推出搭载性能可靠的闪迪存储器的新型入门级数码设备。

28日更新
闪迪为入门级智能设备打造存储解决方案

全球第二大NAND闪存厂商东芝和SanDisk闪迪在上周同时宣布,公司已经完成了迄今为止全球最先进的15nm NAND 闪存工艺的研发,并将尽快投入量产。

28日更新
标签:东芝 闪存 NAND
15nm时代!东芝携闪迪打造业界最小闪存
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